• timthumb
  • header22
  • banner1

Products & Services

MIR 1800-3400 nm
NIR 800-1100 nm
Epitaxy

News

  • 20150304_105900
    UAB „BROLIS SEMICONDUCTORS“ LIETUVOJE SUKŪRĖ IR IŠVYSTĖ ILGABANGIŲ PUSLAIDININKINIŲ LAZERIŲ TECHNOLOGIJĄ

    2012 metais, pasirašius trišalę projekto finansavimo ir administravimo sutartį su LR ūkio ministerija ir Lietuvos verslo paramos agentūra dėl projekto „Ilgabangio puslaidininkinio lazerio technologijos kūrimas“ finansavimo, UAB „Brolis semiconductors“ pradėjo ilgabangio (bangos ilgis > 2 μm) puslaidininkinio lazerio technologijos kūrimą. 2012 – 2015 metais atlikta eilė reikšmingų tyrimų, kurių metu buvo sukurta ir pademonstruota 12 […]

    2012 metais, pasirašius trišalę projekto finansavimo ir administravimo sutartį su LR ūkio ministerija ir Lietuvos verslo paramos agentūra dėl projekto „Ilgabangio puslaidininkinio lazerio technologijos kūrimas“ finansavimo, UAB „Brolis semiconductors“ pradėjo ilgabangio (bangos ilgis > 2 μm) puslaidininkinio lazerio technologijos kūrimą. 2012 – 2015 metais atlikta eilė reikšmingų tyrimų, kurių metu buvo sukurta ir pademonstruota 12 naujų pilotinių technologinių produktų, veikiančių 2 – 3 μm bangų ruože. Tarp jų ir nemažai pasižyminčių pasauliniu mastu rekordiniais parametrais: 1) rekordinės galios (190 mW) 2.1 µm vienmodžiai (skersinės modos atžvilgiu) Fabry-Perot lazeriniai diodai; 2) lazeriniai diodai su rekordiškai mažomis slenkstinėmis įėjimo galiomis (9 – 15 mW) 2.0 – 2.5 μm bangų ruože 3) geriausiems pasaulyje, tiek spinduliuojama galia (> 1 W), tiek efektyvumu (30 %), prilygstantys 2.1 µm daugiamodžiai didelės galios Fabry-Perot lazeriniai diodai; 4) sukurti ir pademonstruoti itin plačios stiprinimo juostos (>100 nm) superliuminescenciniai diodai, kurių spinduliuojama optinė galia net 15 kartų viršija rinkoje egzistavusius alternatyvius šaltinius. Pastarųjų prietaisų pagrindu sukurti derinamo bangos ilgio vienmodžiai (spektro atžvilgiu) lazeriai, tinkami dujų ir skysčių spektroskopijai (2.0 – 2.5 μm bangų ruože).

    Brolių sukurta technologija leidžia pradėti puslaidininkinių lazerių infraraudonųjų bangų ruožui gamybą pramoniniu mastu. Tokie lazeriai yra itin perspektyvūs naujos kartos dujų jutikliuose, turinčiuose didžiulį potencialą medicininėje diagnostikoje, pramoninių procesų kontrolėje, šylančios atmosferos tyrimuose (šiltnamio efektas) ir monitoringe, saugumo pramonėje. Didžiausias šių lazerių privalumas yra tas, kad jie gaminami lygiagrečios technologijos būdu, kuri leidžia vieno gamybos proceso metu pagaminti dešimtis tūkstančių vienetų. Tai užtikrina konkurencingumą ir rinkos masiškumą, ir tuo pačiu, vartotojai gali tikėtis jautresnių, kompaktiškų sistemų už mažesnę kainą.

    „Šie treji metai intensyvių tyrimų buvo didelis iššūkis, tačiau tuo pačiu ir didelis malonumas realizuoti savo sugebėjimus. Jau per pirmuosius projekto metus „nukeliavome optinės galios kelionę“ nuo 5 mW iki 9 W su vieno bangos ilgio lazeriu, kitais metais sukūrėme dar 5 lazerinius prototipus, na o trečiasiais metais pristatėme ir spektriniu pobūdžiu vienmodžius lazerius bei patį projektą pabaigėme su 12 naujų aukščiausio lygio technologinių prototipų, kurių nemaža dalis pasižymi absoliučiai rekordiniais veikos parametrais pasauliniu mastu. Ypatinga buvo ir tai, kad projekto pradžioje įmonėje buvo tik trys darbuotojai, o šiandien jau yra trylika. Buvo sukurtos naujos darbo vietos, išugdyta naujų specialistų komanda.“ – sako Brolis Semiconductors technologijų direktorius Kristijonas Vizbaras.

    Projektas „Ilgabangio puslaidininkinio lazerio technologijos kūrimas“ (Nr.VP2-1.3-ŪM-02-K-03-047) įgyvendintas pagal 2007–2013 m. Ekonomikos augimo veiksmų programos prioriteto „Ūkio konkurencingumui ir ekonomikos augimui skirti moksliniai tyrimai ir technologinė plėtra“ priemonę „Intelektas LT“. Bendra projekto vertė – 944 402,80 Eur, skirtas finansavimas – 414 026,01 Eur. Projektas vykdytas 2012 m. birželio – 2015 m. birželio mėn.

     

    Pranešimas spaudai (pdf): spausti čia

    Daugiau informacijos Jums suteiks:

    Augustinas Vizbaras

    El. paštas: info@brolis-semicon.com

  • DSC_7383
    New 980 nm high-power CW laser diodes upt 12 W output power available!

    April 29, 2015. Brolis Semiconductors introduces new product line of near-infrared (NIR) CW high-power laser diodes. Company’s new 980 nm single emitters offer state-of-the-art performance with up to 12 W of CW output power per single emitter. Different package options are available such as C-mount, F-mount or a simple TO5. Impressive performance of 7 W CW […]

    April 29, 2015. Brolis Semiconductors introduces new product line of near-infrared (NIR) CW high-power laser diodes. Company’s new 980 nm single emitters offer state-of-the-art performance with up to 12 W of CW output power per single emitter. Different package options are available such as C-mount, F-mount or a simple TO5.

    Impressive performance of 7 W CW output power in a very compact TO5 package is achieved and available from our stock. New wavelengths are coming up soon!

    For more information and datasheets, please go to our laser diode product page: 9XX laser diode

     

  • power vs wavelength_single mode
    Ultra-broad gain and high-power mid-infrared SAF gain-chips from Brolis

    January 28, 2015. Brolis Semiconductors introduces ultra-broad gain and high ouptut power single-angled-facet (SAF) gain chips for most demanding tunable spectroscopy applications in the 1900 nm – 2500 nm range.

    January 28, 2015. Brolis Semiconductors introduces ultra-broad gain and high ouptut power single-angled-facet (SAF) gain chips for most demanding tunable spectroscopy applications in the 1900 nm – 2500 nm range. New chips are based on Brolis proprietary GaSb type-I material and chip technology delivering beyond state-of-the art performance.

    Novel gain chips feature > 100 nm/chip tunable single-mode emission with side-mode suppresion ration > 25 dB and CW output power in the 5 – 20 mW range. Output beam is strickly TE00. These products come packaged in TO5 or C-mount package. Output beam direction is normal to the package output plane. To download a short brochure featuring the new product, click here.

    For typical datasheets, please search the SAF gain-chip page in our components page: MIR_components

     

Upcomming Events

  • las_header_301x105
    June 22-25, 2015, Munich, Germany. Laser World of Photonics 2015

    June 22 – 25, Munich, DE, 2015. Hall 3, Booth #556   Contact us: info  More information about the event: LWOP15  

    June 22 – 25, Munich, DE, 2015.
    Hall 3, Booth #556   Contact us: info 
    More information about the event: LWOP15

     

  • pw2015
    Feb. 10-12, 2015. San Francisco, USA. SPIE Photonics West 2015.

    February 10 – 12, San Francisco, USA, 2015. Booth #4102   Contact us: info  More information about the event: PhoWest15

    February 10 – 12, San Francisco, USA, 2015.
    Booth #4102   Contact us: info 
    More information about the event: PhoWest15

Contacts

UAB Brolis Semiconductors

Contact form:

Full Name (required)

Company institution (required)

Telephone

Your Email (required)

Your Message